FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ Product Description
Atributo del producto | Valor de atributo |
Fabricante: | onsemi |
Categoría de producto: | MOSFET |
RoHS: | Detalles |
Tecnología: | Si |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
Polaridad del transistor: | N-Channel |
Número de canales: | 1 Channel |
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 20 V |
Id - Corriente de drenaje continua: | 1.7 A |
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 55 mOhms |
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
Qg - Carga de puerta: | 5 nC |
Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C |
Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
Dp - Disipación de potencia : | 500 mW |
Modo canal: | Enhancement |
Nombre comercial: | PowerTrench |
Empaquetado: | Reel |
Empaquetado: | Cut Tape |
Empaquetado: | MouseReel |
Marca: | onsemi / Fairchild |
Configuración: | Single |
Tiempo de caída: | 8.5 ns |
Transconductancia hacia delante - Mín.: | 7 S |
Altura: | 1.12 mm |
Longitud: | 2.9 mm |
Producto: | MOSFET Small Signal |
Tipo de producto: | MOSFET |
Tiempo de subida: | 8.5 ns |
Serie: | FDN335N |
Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
Subcategoría: | MOSFETs |
Tipo de transistor: | 1 N-Channel |
Tipo: | MOSFET |
Tiempo de retardo de apagado típico: | 11 ns |
Tiempo típico de demora de encendido: | 5 ns |
Ancho: | 1.4 mm |
Alias de las piezas n.º: | FDN335N_NL |
Peso de la unidad: | 0.001058 oz |
♠ N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using ON Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
• 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V.
• Low gate charge (3.5nC typical).
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON).
• High power and current handling capability.
• DC/DC converter
• Load switch